我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STW12NK60Z现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您正在为高压、高功率的应用寻找一颗可靠高效的开关核心吗？STW12NK60Z正是为您而来的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有600V的漏源电压和10A的连续电流能力，基于ST先进的SuperMESH技术打造，能显著降低导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

它通过优化栅极电荷（仅59nC）实现了快速的开关速度，配合低至640毫欧的导通电阻，共同助力提升整体能效。高达150W的功率处理能力和宽广的工作温度范围，确保它在严苛环境下依然稳定可靠。选择STW12NK60Z，就是为您的设计选择了经过验证的高性能与高耐久性，让您轻松应对功率转换的各种挑战。

• 型号:STW12NK60Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 10A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:640 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:59 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1740 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW12NK60Z，ST（意法半导体）产品一站式供应商。