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您正在寻找一颗能扛起高压大功率重任，同时保持极高效率和可靠性的“核心引擎”吗？STW12N120K5正是您理想的答案。这颗来自意法半导体MDmesh K5家族的N沟道MOSFET，拥有1200V的强悍耐压和12A的连续电流能力，专为应对苛刻的工业环境而生。

它最引人注目的优势在于其极低的导通损耗。仅690毫欧的导通电阻，让电能传输无比顺畅，显著减少发热，直接提升您的系统整体效率。同时，优化的开关特性让您能轻松实现更高频率的设计，从而缩小磁性元件体积，降低系统成本与尺寸。

无论是构建更高效的太阳能逆变器，还是打造更可靠的工业电机驱动，STW12N120K5都能让您的设计事半功倍。它出色的热性能（250W耗散）和宽广的工作温度范围，确保了长期运行的稳定性，让您对产品的耐用性充满信心。

• 型号:STW12N120K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1200V 12A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:690 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:44.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1370 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW12N120K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。