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还在为寻找一颗能同时满足大电流、低损耗和高可靠性的功率开关而烦恼吗？STV270N4F3 N沟道MOSFET就是您期待的答案。它基于意法半导体成熟的STripFET III技术，为您带来高达270A的电流处理能力和低至1.5毫欧的导通电阻，核心使命就是让您的电源转换和电机驱动应用效率大幅提升，热量显著降低。

这颗芯片能轻松驾驭服务器电源、高性能DC-DC转换器、工业逆变器等关键任务。其优化的动态参数，如较低的栅极电荷，让您能实现更快的开关速度，从而设计出频率更高、体积更小的电源模块。宽广的工作温度范围和强大的功率耗散能力，则确保了它在最苛刻环境下的持久稳定运行，让您对产品的可靠性充满信心。

• 型号:STV270N4F3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:10-PowerSO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 270A 10POWERSO
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):270A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.5 毫欧 @ 80A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:150 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:7500 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:10-PowerSO
• 封装/外壳:PowerSO-10 裸露底部焊盘
• STV270N4F3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。