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还在为高电流应用中的效率瓶颈和散热挑战寻找突破口吗？STV250N55F3正是为您而来的解决方案。这颗基于先进STripFET III技术的N沟道MOSFET，拥有惊人的2.2毫欧超低导通电阻，能轻松处理高达200A的连续电流，显著降低导通损耗，让您的电源模块、电机驱动或功率转换系统运行得更凉爽、更高效。

它不仅仅参数强悍，更注重实际应用体验。高达300W的功率处理能力和宽广的工作温度范围（-55°C ~ 175°C），确保其在恶劣环境下依然稳定可靠。同时，优化的栅极电荷特性助力实现更快的开关速度，进一步提升整体能效。选择STV250N55F3，就是为您的核心电路注入一股强劲而高效的动力源泉。

• 型号:STV250N55F3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:10-PowerSO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 55V 200A 10POWERSO
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:55 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):200A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.2 毫欧 @ 75A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:100 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6800 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:10-PowerSO
• 封装/外壳:PowerSO-10 裸露底部焊盘
• STV250N55F3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。