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还在为高功率应用的效率瓶颈寻找突破口吗？STV240N75F3正是为您而来的解决方案。这颗采用先进STripFET III技术的N沟道MOSFET，拥有惊人的240A电流处理能力和低至2.6毫欧的导通电阻，能显著降低开关和传导损耗，让您的电源转换或电机驱动系统效率飙升，运行更凉爽。

它不仅能轻松应对高达75V的电压和300W的功率耗散，其优化的动态参数（如栅极电荷）更能确保快速、干净的开关性能，让您轻松实现更高频率的设计，从而缩减整体方案尺寸。选择它，就是为您的产品注入了高效、可靠的核心动力。

• 型号:STV240N75F3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:10-PowerSO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 75V 240A 10POWERSO
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:75 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):240A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.6 毫欧 @ 120A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:100 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6800 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:10-PowerSO
• 封装/外壳:PowerSO-10 裸露底部焊盘
• STV240N75F3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。