我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STV200N55F3现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您正在寻找一颗能扛起大电流重任，同时保持极低损耗的功率开关吗？STV200N55F3正是为此而生。它能让您轻松驾驭高达200A的电流，凭借仅2.5毫欧的超低导通电阻，大幅减少功率损耗和发热，直接提升您的电源或电机驱动系统的整体效率与功率密度。

这颗芯片采用先进的STripFET技术，在55V的电压平台上实现了性能与可靠性的完美平衡。其优化的动态参数有助于简化您的驱动设计，而宽广的工作温度范围则确保了它在各种严苛环境下的稳定表现。选择它，就是为您的产品选择了一个高效、可靠的能量控制核心。

• 型号:STV200N55F3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:10-PowerSO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 55V 200A 10POWERSO
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:55 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):200A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.5 毫欧 @ 75A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:100 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6800 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:10-PowerSO
• 封装/外壳:PowerSO-10 裸露底部焊盘
• STV200N55F3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。