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还在寻找一颗能扛起高压、高效率重任的功率开关吗？STU9N65M2正是您理想的解决方案。这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，拥有650V的强劲耐压和5A的连续电流能力，专为 demanding 的开关电源应用而生。

它采用先进的MDmesh技术，将导通电阻（Rds(on)）显著降低至仅900毫欧，这意味着更低的传导损耗和更高的整体能效。同时，优化的栅极电荷和电容参数，让开关过程更快、更干净，有效减少开关损耗和EMI干扰。无论是用于电源初级侧还是电机驱动，它都能让您的设计更高效、更可靠。

其坚固的TO-251（IPAK）封装确保了出色的散热性能，结合高达150°C的结温工作能力，让您的设备即使在严苛环境下也能稳定运行。选择STU9N65M2，就是为您的产品选择了一份经久耐用的性能保障。

• 型号:STU9N65M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 5A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:900 毫欧 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:315 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• STU9N65M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。