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还在为电源转换效率难以提升而烦恼吗？STU7N65M6 N沟道MOSFET正是为您的高效设计而生。它集650V高耐压、5A连续电流与MDmesh M6超结技术于一身，其低至990毫欧的导通电阻能显著降低导通损耗，而优化的开关特性则让您轻松驾驭高频应用，全面提升系统能效。

这颗芯片能为您做什么？它让您在设计开关电源、电机驱动或PFC电路时游刃有余。极低的栅极电荷和输入电容简化了驱动要求，帮助您实现更简洁、更可靠的电路布局。其坚固的I-PAK通孔封装和宽广的工作温度范围（-55°C至150°C），确保您的产品即使在最严苛的环境下也能稳定运行，大幅提升最终产品的市场竞争力与客户满意度。

• 型号:STU7N65M6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:IPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 5A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:990毫欧 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6.9 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:220 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:IPAK
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• STU7N65M6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。