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还在寻找一颗能兼顾高性能与高可靠性的650V功率开关管吗？STU7N65M2正是为您而来的解决方案。它基于ST先进的MDmesh技术，拥有仅1.15欧姆的低导通电阻，能大幅降低您在开关电源、电机控制或照明应用中的传导损耗，让您的系统运行得更凉、更高效。

这颗N沟道MOSFET具备5A的连续电流能力和高达60W的耗散功率，结合其宽广的工作温度范围，确保它在各种严苛环境下稳定工作。其优化的动态参数（如低栅极电荷）让您能轻松实现更高频率的开关设计，从而选用更小的外围元件，助力打造更紧凑、更具成本优势的终端产品。

• 型号:STU7N65M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 5A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.15 欧姆 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:270 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• STU7N65M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。