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还在寻找一颗能兼顾高压、高效与可靠性的开关核心？STU7N60DM2正是为您而来。这颗基于意法半导体先进MDmesh DM2技术的N沟道MOSFET，拥有600V的漏源电压和6A的连续电流能力，其关键优势在于极低的导通电阻与栅极电荷。这意味着它能显著降低开关损耗和驱动损耗，让您的电源或电机驱动设计轻松实现更高的能效与功率密度。

它专为提升系统可靠性而优化，具备出色的动态特性与雪崩耐量，确保在复杂的应用环境中稳定工作。无论是开关电源、功率因数校正（PFC）还是照明镇流器，STU7N60DM2都能成为您构建高效、紧凑且坚固的功率转换级的理想选择，助您快速推出更具市场竞争力的产品。

• 制造商产品型号：STU7N60DM2
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CH 600V 6A IPAK
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：MDmesh DM2
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：600V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：6A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：900 毫欧 @ 3A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.75V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：7.5nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±25V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：324pF @ 100V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：60W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：I-PAK
• STU7N60DM2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。