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还在为寻找一颗能兼顾大电流与高效率的功率开关而烦恼吗？STU70N2LH5正是为您排忧解难的得力助手。这颗来自意法半导体的N沟道MOSFET，拥有48A的强大电流承载能力和仅7.5毫欧的超低导通电阻，能显著降低您电源转换或电机驱动电路中的导通损耗，让能量传递更直接、更高效。

它采用成熟的STripFET V技术，在5V或10V的低驱动电压下即可实现优异的导通性能，帮助您简化驱动电路设计。同时，其极低的栅极电荷让开关速度更快、损耗更小，轻松应对高频开关需求。无论是提升现有方案的能效，还是为新产品注入强劲动力，它都能让您的设计事半功倍，在性能和可靠性上赢得先机。

• 制造商产品型号：STU70N2LH5
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CH 25V 48A IPAK
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：STripFET V
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：25V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：48A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：7.5 毫欧 @ 24A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：8nC @ 5V
• Vgs（最大值）：±22V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1300pF @ 25V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：60W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：I-PAK
• STU70N2LH5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。