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还在为功率转换效率不高、散热设计棘手而烦恼吗？让STU6N60M2来为您排忧解难！这颗基于意法半导体先进MDmesh II Plus技术的N沟道MOSFET，是您实现高效节能设计的秘密武器。

它拥有600V的高耐压和4.5A的电流能力，结合低至1.2欧姆的导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。同时，其极低的栅极电荷让开关速度更快，损耗更小，轻松应对高频应用挑战。从-55°C到150°C的宽广工作温度范围，则确保了它在各种严苛环境下都能稳定可靠地工作。

选择STU6N60M2，就是选择用一颗高性价比的“强芯”，为您的产品注入持久的动力与卓越的能效表现，让您在市场竞争中赢得先机。

• 型号:STU6N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 4.5A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.2 欧姆 @ 2.25A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:232 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• STU6N60M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。