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还在为高压电源设计的效率瓶颈和散热难题烦恼吗？让STU5N70M6-S为您开启高效节能的新篇章。这颗基于先进MDmesh M6技术的N沟道MOSFET，拥有高达700V的漏源电压和3.5A的连续电流能力，其核心价值在于极低的导通电阻（1.4欧姆）与栅极电荷（5.1nC）。这意味着它能显著降低开关损耗和传导损耗，直接提升您的电源系统整体效率，让热量更少，运行更稳定。

它专为要求严苛的开关模式电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）和照明镇流器等应用而生。优异的动态性能和高达45W的功率处理能力，让您在设计高功率密度方案时更加游刃有余。选择STU5N70M6-S，就是选择了一颗能让您的产品在能效、可靠性和成本之间取得完美平衡的“心脏”，助您轻松打造出更具市场竞争力的终端设备。

• 型号:STU5N70M6-S
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:IPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 700V 3.5A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:700 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.4欧姆 @ 1.75A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:5.1 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:170 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:IPAK
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK
• STU5N70M6-S，ST（意法半导体）产品一站式供应商。