我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STU5N65M6现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为寻找一颗能兼顾高效能与高可靠性的650V级MOSFET而烦恼吗？STU5N65M6正是您期待的答案。这颗采用先进MDmesh M6技术的N沟道MOSFET，旨在让您的电源设计脱胎换骨。

它拥有高达4A的连续漏极电流和650V的漏源击穿电压，为您的中等功率应用提供坚实的保障。其核心魅力在于极低的导通电阻（仅1.3欧姆）和栅极电荷，能显著降低导通与开关损耗，从而轻松提升系统整体效率，并简化散热设计。无论是用于开关电源、LED驱动还是电机控制，它都能确保稳定、高效的功率切换。

此外，宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）和坚固的I-PAK封装，让您的产品能够从容应对各种严苛环境，可靠性毋庸置疑。选择STU5N65M6，就是为您的产品注入一颗强劲而可靠的心脏。

• 制造商产品型号：STU5N65M6
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CH 650V 4A IPAK
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：MDmesh M6
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：650V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：4A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：1.3 欧姆 @ 2A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.75V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：5.1nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±25V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：170pF @ 100V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：45W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：I-PAK
• STU5N65M6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。