我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STU5N62K3现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在寻找一颗能扛起高压、大电流重任，同时又敏捷高效的功率开关吗？STU5N62K3正是为您而来的解决方案。这颗采用先进SuperMESH3技术的N沟道MOSFET，拥有620V的高耐压和4.2A的连续电流能力，却能将导通电阻和栅极电荷控制在极低水平，核心目标就是让您的电源转换效率大幅提升，同时显著降低开关损耗和发热。

它旨在让您的设计工作变得更轻松。无论是构建紧凑高效的开关电源、设计可靠的LED驱动，还是实现精准的电机控制，STU5N62K3都能以其快速响应和卓越的散热性能（70W功率耗散），确保系统稳定运行。其宽泛的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）更能从容应对各种严苛环境挑战。选择它，您就选择了一个高效、可靠且易于驾驭的动力核心，助您轻松打造出更具市场竞争力的产品。

• 型号:STU5N62K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 620V 4.2A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:620 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.6 欧姆 @ 2.1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:26 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:680 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• STU5N62K3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。