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还在为高压开关应用的效率与散热问题头疼吗？让STU5N52K3来为您分忧！这颗采用先进SuperMESH3技术的N沟道MOSFET，拥有高达525V的击穿电压和4.4A的连续电流能力，是您构建高效、紧凑型电源和电机驱动方案的理想核心。

它能为您做什么？它凭借低至1.5欧姆的导通电阻，显著降低导通损耗，让您的系统运行更凉爽、能效比更高。同时，其优化的栅极电荷和电容特性，确保了快速干净的开关动作，帮助您轻松实现更高频率的设计，提升功率密度。无论是开关电源、PFC电路还是照明镇流器，它都能提供稳定可靠的性能表现。

采用坚固的I-PAK通孔封装，散热性能优异，安装牢固。其宽广的工业级温度范围，确保它在各种苛刻环境下都能稳定工作。选择STU5N52K3，就是为您的产品选择了一份来自意法半导体的高效与安心保障。

• 型号:STU5N52K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 525V 4.4A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:525 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.5 欧姆 @ 2.2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:545 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• STU5N52K3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。