我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STU13NM60N现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您正在寻找一颗能同时兼顾高效能与高可靠性的功率开关吗？STU13NM60N正是为您而来。这颗采用意法半导体先进MDmesh II技术的N沟道MOSFET，拥有600V的坚固耐压和11A的强大电流处理能力，其核心使命就是让您的电源转换、电机控制或照明应用运行得更流畅、更节能。

它通过极低的导通电阻（仅360毫欧）大幅减少导通损耗，配合优化的开关特性，显著提升系统整体效率。同时，其坚固的IPAK通孔封装和高达150°C的结温工作能力，确保了在 demanding 环境下的长期稳定运行。选择它，就是为您的产品注入一颗强劲而可靠的“心脏”，让您轻松实现高效、紧凑且耐用的设计目标。

• 型号:STU13NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 11A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:360 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:27 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:790 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• STU13NM60N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。