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还在寻找一颗能兼顾高效率与高可靠性的功率开关吗？STU11N65M2 N沟道MOSFET正是您的理想之选。它基于ST先进的MDmesh II Plus技术，拥有650V的漏源击穿电压和仅670毫欧的低导通电阻，能显著降低开关和传导损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

这颗芯片能为您做什么？它让您轻松驾驭高达7A的连续电流，其优化的动态性能和低栅极电荷（12.5nC）让开关速度更快，驱动更简单，从而提升整体系统频率和功率密度。无论是设计紧凑的适配器、 robust的工业电源，还是高性能照明方案，STU11N65M2都能提供坚实的性能基础，助您打造出更具市场竞争力的产品。

• 型号:STU11N65M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 7A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:670 毫欧 @ 3.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:410 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:85W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• STU11N65M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。