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还在为寻找一款既能承受高电流、又足够小巧高效的功率开关而烦恼吗？STT6N3LLH6正是为您量身打造的解决方案。它集成了意法半导体的尖端STripFET VI技术，在微小的SOT-23-6封装内，为您提供高达6A的连续电流处理能力和低至25毫欧的导通电阻，让您的电源路径损耗大幅降低，系统整体效率显著提升。

这颗N沟道MOSFET专为简化您的设计而生。其4.5V的低栅极驱动电压，让您能轻松使用常见的逻辑电平信号直接控制，无需复杂的电平转换电路。同时，优异的开关特性（低栅极电荷和输入电容）意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，无论是用于同步整流、负载开关还是电机驱动，都能让您的设备运行得更快、更冷、更持久。

• 型号:STT6N3LLH6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:SOT-23-6
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 6A SOT23-6
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:25 毫欧 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:3.6 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:283 pF @ 24 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.6W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-6
• 封装/外壳:SOT-23-6
• STT6N3LLH6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。