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还在为驱动电路的速度和力量发愁吗？STSR2PCD-TR就是您的高效解决方案。这颗来自ST意法半导体的双通道低边驱动器，能为您同步驱动两个N沟道MOSFET，提供高达3.5A的拉电流和2A的灌电流，确保您的功率开关管快速、坚决地动作，显著降低开关损耗，提升系统整体能效。

它让您轻松应对严苛环境，其工作温度范围覆盖-40°C至125°C，适应从工业控制到通信电源的各种挑战。凭借其非反相输入逻辑和极短的开关延时，它能精准响应您的控制信号，让电源转换过程更加高效、可靠。选择它，就是为您的产品选择了一颗强劲而稳定的“心脏”。

• 型号:STSR2PCD-TR
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:低端
• 通道类型:同步
• 驱动器数:2
• 栅极类型:MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:4.5V ~ 5.5V
• 逻辑电压- VIL，VIH:-
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，3.5A
• 输入类型:非反相
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:-
• 上升/下降时间（典型值）:40ns，30ns
• 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
• STSR2PCD-TR，ST（意法半导体）产品一站式供应商。