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还在为如何在有限空间内实现大电流、高效率的功率切换而烦恼吗？STSJ50NH3LL正是为您破解这一难题而生。这颗来自意法半导体的N沟道MOSFET，集30V耐压、50A大电流承载能力于一身，却仅采用小巧的8-SOIC封装，让您轻松实现高功率密度设计。

它的核心价值在于极致的能效表现。凭借STripFET先进技术，其导通电阻低至惊人的10.5毫欧，能显著降低导通损耗，让您的系统运行更凉爽、更高效。同时，优化的栅极特性让驱动变得简单，帮助您简化电路，加速产品上市进程。

• 型号:STSJ50NH3LL
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 50A 8SOIC
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):50A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10.5 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:965 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3W（Ta），50W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOIC
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• STSJ50NH3LL，ST（意法半导体）产品一站式供应商。