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还在寻找一颗能兼顾高效能与高可靠性的P沟道MOSFET吗？STS9P3LLH6正是您的理想之选。它专为要求严苛的开关应用设计，凭借仅15毫欧的超低导通电阻和24nC的极小栅极电荷，能大幅降低导通与开关损耗，让您的系统运行更凉爽、更节能，显著提升整体效率。

这颗芯片能为您轻松驾驭高达9A的连续电流和30V的电压，是电机驱动、电源转换和负载开关等应用的强大引擎。其坚固的设计确保在宽广的温度范围内稳定工作，同时紧凑的8-SO封装帮助您最大化节省电路板空间。选择STS9P3LLH6，就是选择让您的设计在性能与可靠性上双双脱颖而出。

• 型号:STS9P3LLH6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 9A 8SO
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:15 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:24 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2615 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.7W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SO
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• STS9P3LLH6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。