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STS9D8NH3LL 零件图片(仅供参考)

STS9D8NH3LL
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STS9D8NH3LL 规格参数

还在为复杂的双MOSFET布局烦恼吗?STS9D8NH3LL为您提供一站式高效解决方案。这颗双N沟道MOSFET阵列,集成了两个逻辑电平驱动的强大开关,让您仅用一颗芯片就能轻松控制两路负载,大幅简化电路设计,节省布局空间。

凭借STripFET技术的加持,它拥有22毫欧的超低导通电阻和高达9A的电流处理能力,能显著降低导通损耗,提升整体能效。无论是用于电机驱动、电源转换还是负载开关,都能让您的系统运行更高效、更可靠。其紧凑的SOIC-8封装,是空间受限应用的理想选择,助您轻松打造更高性能、更小体积的终端产品。

  • 型号:STS9D8NH3LL
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:8-SOIC
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
  • 描述:MOSFET 2N-CH 30V 8A/9A 8SOIC
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 配置:2 N-通道(双)
  • FET 功能:逻辑电平门
  • 漏源电压(Vdss):30V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A,9A
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):22 毫欧 @ 4A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):10nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):857pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:2W
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装:8-SOIC
  • STS9D8NH3LL,ST(意法半导体)产品一站式供应商。
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STS9D8NH3LL 基本参数:

  • 电子零件型号:STS9D8NH3LL
  • 原始制造厂商:ST(意法半导体,STMicroelectronics)
  • 技术标准参数:MOSFET 2N-CH 30V 8A/9A 8SOIC
  • 产品应用分类:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
  • 点击此处查询STS9D8NH3LL的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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