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还在为分立MOSFET方案占用过多板面积和设计复杂度而头疼吗？让STS7C4F30L为您提供一站式的高效解决方案。这颗来自意法半导体的N沟道与P沟道MOSFET阵列芯片，集成了7A和4A的强劲驱动能力于紧凑的8-SOIC封装中，让您轻松实现高效的功率切换与电机控制。

凭借其逻辑电平门控（阈值电压仅2.5V）和极低的导通电阻，它能直接与您的MCU对话，大幅简化驱动电路，同时显著降低导通损耗和发热。无论是用于电源管理路径的开关，还是构建精巧的H桥驱动电路，它都能让您的设备运行得更凉爽、更持久、更可靠。

• 型号:STS7C4F30L
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET N/P-CH 30V 7A/4A 8SOIC
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:N 和 P 沟道
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A，4A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:22 毫欧 @ 3.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:23nC @ 5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1050pF @ 25V
• 功率 - 最大值:2W
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
• STS7C4F30L，ST（意法半导体）产品一站式供应商。