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还在寻找一颗能兼顾高效能与高可靠性的60V级别功率开关吗？STS5NF60L N沟道MOSFET正是为您而来。它基于先进的STripFET技术打造，拥有仅55毫欧的超低导通电阻和快速的开关特性，能显著降低您电源转换或电机驱动应用中的功率损耗，让系统运行更凉爽、更高效。

这颗芯片能为您做什么？它让您轻松驾驭高达5A的连续电流，并凭借其宽泛的栅极驱动电压范围（4.5V至10V）提供出色的设计灵活性。无论是用于提升DC-DC转换器的效率，还是驱动小型电机精准启停，STS5NF60L都能以卓越的电气性能和坚固的可靠性，成为您设计中值得信赖的核心。选择它，就是为您的产品选择了持久的动力与能效优势。

• 型号:STS5NF60L
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 5A 8SO
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:55 毫欧 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1250 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.5W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOIC
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• STS5NF60L，ST（意法半导体）产品一站式供应商。