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还在寻找一颗能兼顾高性能与高可靠性的中压功率开关吗？STS5N15F3就是为您而来的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有150V的耐压和5A的电流处理能力，其核心价值在于STripFET III技术带来的革命性低导通电阻，能显著减少功率损耗，让您的电源转换效率大幅提升。

它能让您轻松实现更高效的DC-DC转换、电机驱动和负载开关。优异的开关特性（低栅极电荷和输入电容）意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的系统在高频下运行依然冷静高效。选择它，就是为您的产品注入了强劲而高效的“心脏”，确保能量在传输过程中损耗最小，性能释放最大。

• 型号:STS5N15F3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 150V 5A 8SO
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:150 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:57 毫欧 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1300 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.5W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOIC
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• STS5N15F3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。