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还在寻找一颗能同时兼顾高效开关与节省空间的功率管理芯片吗？STS4DPF30L双P沟道MOSFET阵列，正是为您解决此类难题的利器。它集成了两个性能一致的P沟道MOSFET于紧凑的8-SOIC封装内，让您轻松实现对称的电源路径管理或负载开关控制。

得益于STripFET技术，它拥有低至80毫欧的导通电阻和仅16nC的低栅极电荷，能显著降低开关损耗和驱动需求，让您的系统运行更高效、更凉爽。高达30V/4A的耐压和载流能力，结合宽广的工作温度范围，确保它在从消费电子到工业控制的多种应用中都能稳定可靠地工作，是您提升产品功率密度和可靠性的理想选择。

• 型号:STS4DPF30L
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2P-CH 30V 4A 8SOIC
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 个 P 沟道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:80 毫欧 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16nC @ 5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1350pF @ 25V
• 功率 - 最大值:2W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
• STS4DPF30L，ST（意法半导体）产品一站式供应商。