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还在寻找一颗能同时简化设计并提升效率的“双核”功率开关吗？STS4DNF60正是为您而来的解决方案。这颗来自ST意法半导体的双N沟道MOSFET，采用先进的STripFET技术，集逻辑电平驱动与低导通电阻于一身，让您能够直接用微控制器的低压信号实现高效、可靠的功率控制。

它能够轻松胜任高达4A的电流切换任务，其优异的开关特性显著降低导通与开关损耗，从而让您的电源模块、电机驱动或负载开关应用运行得更凉爽、更高效。采用紧凑的8-SOIC封装，它为您在有限的板级空间内实现高功率密度设计提供了可能，是提升产品整体性能和可靠性的理想选择。

• 型号:STS4DNF60
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 60V 4A 8SOIC
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:60V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:90 毫欧 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:315pF @ 25V
• 功率 - 最大值:2W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
• STS4DNF60，ST（意法半导体）产品一站式供应商。