我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STS3P6F6现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为寻找一颗能兼顾高性能与小体积的P沟道MOSFET而四处比对参数吗？让STS3P6F6来终结您的选择困难！这颗来自ST意法半导体的功率开关，专为让您的设计更高效、更紧凑而生。

它集成了先进的STripFET VI技术，为您提供高达60V的耐压和3A的连续电流处理能力。最关键的是，其导通电阻（RdsOn）低至惊人的160毫欧（@10V，1.5A），这意味着它能显著降低开关过程中的功率损耗，直接提升您的系统整体能效，并简化散热设计。无论是用于电池供电设备的负载开关，还是电源路径管理，它都能让您轻松实现高效、可靠的功率控制。

此外，其紧凑的8-SOIC表面贴装封装，让您能在有限的PCB空间内优雅布局。选择STS3P6F6，就是选择了一个经过市场验证的、能助力产品脱颖而出的高效解决方案。

• 型号:STS3P6F6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 60V 3A 8SOIC
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Tj）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:160 毫欧 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:340 pF @ 48 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.7W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOIC
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• STS3P6F6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。