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您正在寻找一颗能大幅提升电源效率、让设备运行更凉爽的“能量开关”吗？STS20N3LLH6正是您期待的答案。这颗来自ST的N沟道MOSFET，拥有30V耐压和高达20A的连续电流处理能力，其核心魅力在于超低的4.7毫欧导通电阻，能显著减少功率损耗和发热，让您的电源适配器、电机驱动或DC-DC转换器设计轻松实现更高能效。

它采用了先进的STripFET VI技术，配合仅17nC的低栅极电荷，确保了快速、干净的开关动作，能有效降低开关损耗，尤其适合高频应用场景。采用紧凑的8-SO表面贴装封装，并支持-55°C至150°C的宽广工作结温，为您提供高效、可靠且节省空间的解决方案，助力您的产品在性能和可靠性上脱颖而出。

• 型号:STS20N3LLH6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 20A 8SO
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.7 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1690 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.7W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOIC
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• STS20N3LLH6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。