我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STS1NK60Z现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为高压小电流电路的开关器件选型而烦恼吗？STS1NK60Z正是为您量身打造的解决方案。这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，拥有高达600V的漏源电压和250mA的连续漏极电流，基于先进的SuperMESH技术，它能为您提供卓越的开关效率和可靠性。

它能让您轻松驾驭各种高压开关场景。其低至15欧姆的导通电阻和仅6.9nC的栅极电荷，意味着更低的功率损耗和更高的开关频率，从而让您的电源或驱动电路运行得更凉爽、更高效。采用紧凑的8-SO表面贴装封装，它能无缝集成到您的设计中，节省宝贵的电路板空间。

无论是用于开关电源、电机控制还是辅助电源模块，STS1NK60Z都能凭借其稳定的性能和宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C），确保您的系统在各种环境下都坚若磐石。选择它，就是选择了一份让设计更简单、让产品更出色的信心保障。

• 型号:STS1NK60Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 250MA 8SO
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):250mA（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:15 欧姆 @ 400mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6.9 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:94 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOIC
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• STS1NK60Z，ST（意法半导体）产品一站式供应商。