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您正在寻找一颗能显著提升系统效率与可靠性的功率开关吗？STS17NH3LL正是为您而来。这颗采用先进STripFET技术的N沟道MOSFET，拥有30V耐压和高达17A的电流处理能力，其核心魅力在于极低的5.7毫欧导通电阻，能大幅降低功率损耗，让您的电源转换或电机驱动应用运行得更凉爽、更高效。

它具备优异的开关特性，低栅极电荷和电容让开关速度更快，损耗更小，轻松匹配您的控制逻辑。从-55°C到150°C的宽广工作温度范围，确保了在各种环境下的稳定表现。选择它，就是为您的设计注入一股强劲而可靠的核心动力。

• 型号:STS17NH3LL
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 17A 8SO
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.7 毫欧 @ 8.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:24 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1810 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.7W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOIC
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• STS17NH3LL，ST（意法半导体）产品一站式供应商。