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还在为电源转换效率难以突破而困扰吗？STS11NF30L N沟道MOSFET正是您期待的解决方案。它基于先进的STripFET II技术打造，拥有仅10.5毫欧的超低导通电阻，能在30V/11A的工况下大幅降低导通损耗，直接为您带来更低的温升和更高的系统整体效率。

这颗芯片能为您做什么？它让您轻松实现高效的功率开关控制。其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，特别适合高频开关应用。无论是同步整流、电机驱动还是负载管理，它都能让您的设计响应更迅捷，运行更稳定。

凭借5V的逻辑电平驱动兼容性和宽广的工作温度范围，STS11NF30L让您能够灵活应对从消费电子到工业控制的各种场景挑战，是您构建紧凑、高效、可靠电源系统的理想选择。

• 型号:STS11NF30L
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10.5 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±18V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1440 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.5W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOIC
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• STS11NF30L，ST（意法半导体）产品一站式供应商。