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您正在寻找一颗能大幅提升开关电源效率或让电机驱动更迅捷、更凉爽的核心开关器件吗？STS11N3LLH5正是您的理想之选。这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，凭借其STripFET V技术，为您带来仅14毫欧的超低导通电阻和极低的栅极电荷。

这意味着它能帮助您轻松降低系统的导通与开关损耗，直接提升整体能效，让设备运行更凉爽、更持久。无论是用于同步整流、负载开关还是电机控制，其11A的电流能力和30V的耐压都确保高效稳定的功率处理。选择它，就是为您的设计注入高效与可靠的核心动力。

• 型号:STS11N3LLH5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:14 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:5 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:+22V，-20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:724 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.7W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOIC
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• STS11N3LLH5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。