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还在为功率MOSFET的脆弱性而担忧吗？让STRVS280X02F瞬态电压抑制二极管成为您最可靠的防线。这颗来自ST意法半导体的齐纳型TVS二极管，专为MOSFET保护设计，能瞬间响应并箝制高达280V的危险浪涌电压，轻松化解2A峰值脉冲电流的冲击，确保您核心功率器件的安全。

它让您的设计从容应对-55°C到175°C的严酷温度考验，通孔安装的DO-201AA封装提供了坚固的物理保障。选择它，就是为您的电源或电机驱动系统注入一剂强心针，高效提升整体可靠性与寿命，让您专注于核心功能创新，而无后顾之忧。

• 型号:STRVS280X02F
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DO-201
• 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器（TVS） > TVS 二极管
• 描述:TVS DIODE 188VWM 280VC DO201
• 包装:带盒（TB）
• 产品状态:停产
• 类型:齐纳
• 单向通道:1
• 双向通道:-
• 电压 - 反向断态（典型值）:188V
• 电压 - 击穿（最小值）:209V
• 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）:280V
• 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):2A（8/20s）
• 功率 - 峰值脉冲:-
• 电源线路保护:无
• 应用:MOSFET 保护
• 不同频率时电容:-
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:DO-201AA，DO-27，轴向
• 供应商器件封装:DO-201
• STRVS280X02F，ST（意法半导体）产品一站式供应商。