我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STR2N2VH5现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为寻找一颗体积小巧却性能强劲的开关管而烦恼吗？STR2N2VH5正是为您而来的解决方案。这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，采用先进的STripFET V技术，在微小的SOT-23封装内，实现了2.3A的连续漏极电流和低至30毫欧的导通电阻，让您的电源路径损耗大幅降低，系统效率显著提升。

它能让您轻松驾驭20V以内的各种开关应用。其极低的栅极驱动需求（Vgs(th)最大仅700mV）和快速的开关特性，特别适合电池供电设备、DC-DC转换器和负载开关等场景，帮助您构建更节能、响应更迅捷的电路。选择STR2N2VH5，就是为您的产品选择了一颗高效、可靠的心脏。

• 型号:STR2N2VH5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.3A（Tj）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:30 毫欧 @ 2A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:700mV @ 250A（最小）
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:4.6 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:367 pF @ 16 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:350mW（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• STR2N2VH5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。