我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STQ2LN60K3-AP现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为寻找一颗能在高压小电流场合下既高效又经济的功率开关而烦恼吗？STQ2LN60K3-AP正是为您量身打造的解决方案。这颗来自意法半导体SuperMESH3家族的N沟道MOSFET，拥有高达600V的击穿电压和600mA的连续电流能力，让您在设计初级侧开关、继电器驱动或功率因数校正（PFC）等电路时信心十足。

它凭借先进的芯片技术，实现了优异的性能平衡：仅需10V驱动电压即可获得低至4.5欧姆的导通电阻，大幅降低导通损耗，提升效率；同时，极低的栅极电荷（12nC）和输入电容，让开关速度更快，驱动更轻松，有效减少开关损耗和发热。无论是提升您的电源能效，还是增强系统的可靠性，它都能让您的设计工作变得事半功倍。

• 型号:STQ2LN60K3-AP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-92-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 600MA TO92-3
• 包装:剪切带（CT）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):600mA（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.5 欧姆 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:235 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.5W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-92-3
• 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线
• STQ2LN60K3-AP，ST（意法半导体）产品一站式供应商。