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还在寻找一颗能兼顾高压性能与高效开关的“全能型”MOSFET吗？STQ2HNK60ZR-AP就是您的理想答案。它基于意法半导体先进的SuperMESH技术打造，专为要求苛刻的功率转换应用而设计。

这颗N沟道MOSFET拥有高达600V的击穿电压和500mA的连续电流能力，让您在设计开关电源、LED驱动或电机控制电路时信心十足。其优化的4.8欧姆导通电阻和仅15nC的栅极电荷，共同作用，能显著降低开关损耗和导通损耗，从而提升系统整体能效，让您的产品更节能、发热更少。无论是性能还是可靠性，它都旨在让您的设计工作更轻松，产品更具市场竞争力。

• 型号:STQ2HNK60ZR-AP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-92-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 500MA TO92-3
• 包装:剪切带（CT）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):500mA（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.8 欧姆 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:280 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-92-3
• 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线
• STQ2HNK60ZR-AP，ST（意法半导体）产品一站式供应商。