我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STQ1NK60ZR-AP现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为高压小电流开关应用寻找一颗可靠、高效的“心脏”吗？STQ1NK60ZR-AP正是您理想的解决方案。这颗来自意法半导体SuperMESH系列的N沟道MOSFET，拥有高达600V的耐压和300mA的电流处理能力，专为要求苛刻的开关场景而生。

它能让您轻松驾驭辅助电源、LED驱动、充电器等应用。其优化的导通电阻和极低的栅极电荷，意味着更低的导通损耗和更快的开关速度，直接帮助您提升整体系统的能效和响应性能。采用经典的TO-92-3通孔封装，让您的PCB布局和焊接工作变得简单高效。

无论是应对高温环境，还是追求长期稳定运行，STQ1NK60ZR-AP凭借其坚固的设计和宽广的工作温度范围，都能成为您设计中值得信赖的基石，助您打造出更具市场竞争力的产品。

• 型号:STQ1NK60ZR-AP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-92-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 300MA TO92-3
• 包装:剪切带（CT）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):300mA（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:15 欧姆 @ 400mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6.9 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:94 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-92-3
• 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
• STQ1NK60ZR-AP，ST（意法半导体）产品一站式供应商。