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还在为高压整流电路中的效率瓶颈和散热难题寻找突破口吗？STPSC6H12B-TR1碳化硅肖特基整流器就是为您而来的高效引擎。它凭借1200V的反向耐压和6A的整流能力，让您能轻松驾驭高压大电流应用，而其核心魅力在于“零反向恢复时间”，这意味着开关损耗极低，系统运行更凉爽、更高效。

这颗芯片能为您做什么？它将以1.9V的低导通压降和几乎为零的开关损耗，直接提升您电源或逆变器产品的整体能效。其表面贴装的DPAK封装，让您的PCB布局更灵活，生产更便捷。选择它，就是选择了一条通往更高功率密度、更强可靠性和更优电磁兼容性的设计捷径，让您的产品在竞争中脱颖而出。

• 型号:STPSC6H12B-TR1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
• 描述:DIODE SIL CARBIDE 1200V 6A DPAK
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:SiC（Silicon Carbide）Schottky
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:1200 V
• 电流 - 平均整流 (Io):6A
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.9 V @ 6 A
• 速度:零恢复时间 \> 500mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr):0 ns
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:400 A @ 1200 V
• 不同Vr、F 时电容:330pF @ 0V，1MHz
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 供应商器件封装:DPAK
• 工作温度 - 结:-40°C ~ 175°C
• STPSC6H12B-TR1，ST（意法半导体）产品一站式供应商。