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还在为电源效率提升遇到瓶颈而烦恼吗？STPSC10H12B-TR1碳化硅肖特基二极管，就是您突破极限的利器。它凭借1200V的耐压和10A的载流能力，能轻松应对严苛的高压环境，而其革命性的“零反向恢复时间”特性，让您在高频开关电路中彻底告别开关损耗和噪声干扰，系统效率得以大幅跃升。

这颗芯片能为您做什么？它能让您的电源设计更紧凑、更高效、更凉爽。极低的正向压降意味着更少的能量以热量形式浪费，您可以简化散热设计，缩小产品体积。无论是提升工业电源的功率密度，还是优化新能源逆变器的转换效率，STPSC10H12B-TR1都能以卓越的稳定性和性能，助您打造出市场领先的电力电子产品。

• 型号:STPSC10H12B-TR1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
• 描述:DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 10A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:SiC（Silicon Carbide）Schottky
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:1200 V
• 电流 - 平均整流 (Io):10A
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.5 V @ 10 A
• 速度:零恢复时间 \> 500mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr):0 ns
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:60 A @ 1200 V
• 不同Vr、F 时电容:725pF @ 0V，1MHz
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 供应商器件封装:DPAK
• 工作温度 - 结:-40°C ~ 175°C
• STPSC10H12B-TR1，ST（意法半导体）产品一站式供应商。