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想象一下，一颗芯片就能让您的电源设计脱胎换骨，同时实现高效率、高可靠性和高功率密度。STP9N80K5正是这样一款为您赋能的N沟道功率MOSFET。它基于意法半导体先进的MDmesh K5技术，拥有800V的漏源击穿电压和7A的连续电流能力，让您轻松应对工业级高压应用中的严峻挑战。

这颗芯片的核心价值在于其卓越的开关性能。极低的栅极电荷和输入电容，配合900毫欧的典型导通电阻，意味着它能显著降低开关损耗和传导损耗。这直接为您带来更高的系统能效、更低的温升以及更紧凑的散热设计，让您的产品在市场竞争中凭借出色的能效表现脱颖而出。

无论是用于功率因数校正（PFC）、开关模式电源（SMPS），还是电机驱动和照明镇流器，STP9N80K5都能提供稳定可靠的性能。其坚固的TO-220封装确保了出色的功率耗散能力，让您的设计在-55°C至150°C的宽温度范围内都能高效稳定运行，是您打造下一代高性能电力电子设备的理想选择。

• 制造商产品型号：STP9N80K5
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CHANNEL 800V 7A TO220
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：MDmesh K5
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：800V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：7A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：900 毫欧 @ 3.5A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 100A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：12nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：340pF @ 100V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：110W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-220
• STP9N80K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。