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您正在寻找一颗能扛起高压、大电流重任，同时保持极低损耗的功率开关吗？STP9N65M2正是为您而来！这颗N沟道MOSFET拥有650V的漏源击穿电压和5A的连续电流能力，基于先进的MDmesh技术打造，能为您的高效电源、电机控制等应用提供强劲、可靠的开关核心。

它能让您的设计事半功倍。其极低的导通电阻（典型值）和栅极电荷，意味着更少的导通损耗和开关损耗，从而显著提升系统整体能效，让设备运行更凉爽、更安静。高达60W的功率耗散能力和150°C的结温，确保了它在苛刻环境下依然稳定可靠，大大延长了产品的使用寿命。选择STP9N65M2，就是选择用一颗芯片轻松实现高性能与高可靠性的完美平衡。

• 型号:STP9N65M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 5A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:900 毫欧 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:315 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP9N65M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。