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还在寻找一颗能扛起高压、大电流重任，同时保持高效冷静的功率开关吗？STP8NM60FP正是为您而来的解决方案。它集成了ST先进的MDmesh技术，核心使命就是让您在高达650V的应用电压和8A的电流下，依然能实现极低的功率损耗和出色的开关效率。

这颗芯片能为您做什么？它能让您的开关电源设计更紧凑、能效更高；让您的电机驱动电路运行更稳定、更可靠；在照明镇流器或工业电源等应用中，它出色的热性能和TO-220FP封装让散热管理变得轻松。简而言之，STP8NM60FP以其强大的性能参数，为您构建高效、耐用的功率系统奠定了坚实基石，是追求性能与可靠性平衡的工程师们的明智之选。

• 型号:STP8NM60FP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 8A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1 欧姆 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:18 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:400 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STP8NM60FP，ST（意法半导体）产品一站式供应商。