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您正在寻找一颗能扛起高压、大电流重任，同时保持高效节能的功率开关吗？STP8NM50正是为您而来！这颗N沟道MOSFET拥有550V的漏源电压和8A的连续电流能力，核心采用ST先进的MDmesh II技术，能显著降低导通电阻和开关损耗。

这意味着，在您的电源转换或电机控制电路中，它能帮助您轻松提升系统效率，减少热量产生，让设备运行更稳定、更持久。其坚固的TO-220AB封装和宽温工作范围，确保它能在各种挑战性环境中可靠工作，是您构建高效、耐用电力电子系统的理想选择。

• 型号:STP8NM50
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 550V 8A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:550 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:800 毫欧 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:415 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:100W（Tc）
• 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP8NM50，ST（意法半导体）产品一站式供应商。