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还在寻找一颗能扛起大电流、低损耗重任的功率开关吗？STP85NF55L正是为您而来的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有55V的耐压和高达80A的连续电流承载能力，其核心魅力在于极低的8毫欧导通电阻，能显著减少功率损耗，让您的电源转换、电机驱动或负载开关应用运行得更凉爽、更高效。

它采用意法半导体成熟的STripFET II技术，在10V驱动电压下即可实现优异的导通特性。这意味着您可以用更简单的驱动电路，轻松驾驭这颗功率“猛兽”，实现快速、干净的开关动作。无论是应对工业领域的严苛环境，还是追求消费电子中的紧凑设计，它都能让您的产品性能脱颖而出，可靠性更上一层楼。

• 型号:STP85NF55L
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 55V 80A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:55 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:110 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±15V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4050 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP85NF55L，ST（意法半导体）产品一站式供应商。