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您是否正在寻找一颗能够扛起大电流、高效开关重任的“核心动力单元”？STP80NF55正是为此而生！这款N沟道功率MOSFET拥有55V的耐压和高达80A的电流处理能力，专为要求严苛的功率开关应用而设计。它能轻松胜任电机驱动、电源转换、负载开关等任务，让您的系统运行更强劲、更可靠。

得益于其优化的内部结构，STP80NF55实现了极低的导通电阻，这意味着在导通状态下功率损耗更小，电能转换效率更高，直接帮助您的设备减少发热、提升能效。经典的TO-220封装提供了优异的散热路径，确保芯片在高负荷下也能稳定工作。选择它，就是为您的项目选择了一份由ST意法半导体品质背书的性能保障，让设计更高效，让产品更具市场优势。

• 型号:STP80NF55
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 55V 80A TO220
• 系列:*
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:-
• 技术:-
• 漏源电压（Vdss）:-
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):-
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:-
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:-
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:-
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:-
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:-
• 工作温度:-
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP80NF55，ST（意法半导体）产品一站式供应商。