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您正在寻找一颗能扛起大电流、同时保持冷静高效的功率开关吗？STP80NF55-08正是您的答案。这颗来自意法半导体的N沟道MOSFET，拥有55V耐压和高达80A的连续电流处理能力，其核心魅力在于极低的8毫欧导通电阻。这意味着它能大幅减少导通状态下的功率损耗，让您的电源转换或电机驱动系统运行得更凉快、更节能。

得益于STripFET技术，它不仅功耗低，开关性能同样出色。较低的栅极电荷让驱动更轻松，实现快速高效的开关动作。无论是用于提升开关电源的能效，还是驱动高功率电机，STP80NF55-08都能让您的设计轻松应对高负载挑战，在-55°C到175°C的宽广温度范围内稳定工作，为您带来可靠又高效的动力核心。

• 型号:STP80NF55-08
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 55V 80A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:55 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:155 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3850 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP80NF55-08，ST（意法半导体）产品一站式供应商。