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还在寻找一颗能兼顾高性能与高可靠性的功率开关吗？STP7NM60N正是为您而来！这颗采用MDmesh II技术的N沟道MOSFET，拥有600V的坚固耐压和5A的强劲电流能力，能轻松成为您电源转换和电机控制电路中的核心动力开关。

它凭借优化的栅极电荷和低导通电阻，显著降低了开关损耗和导通损耗，让您的系统效率更高、发热更少。其经典的TO-220封装确保了出色的散热性能和便捷的装配，大幅简化您的设计工作。选择它，就是为您的产品注入了ST意法半导体的卓越基因，助力您打造更高效、更可靠的电力电子解决方案。

• 型号:STP7NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 5A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:900 毫欧 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:363 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP7NM60N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。