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您是否正在寻找一颗能轻松驾驭中高压、高效率开关任务的功率开关？STP7NM50N正是您理想的解决方案。这颗N沟道功率MOSFET，拥有500V的坚固耐压和5A的连续电流处理能力，基于ST先进的MDmesh II技术打造，旨在让您的电源转换和电机驱动应用运行得更冷静、更高效。

它的核心价值在于卓越的能效表现。极低的导通电阻与优化的动态参数，意味着更少的能量损耗和更低的发热，直接帮助您提升系统整体效率，并简化散热设计。经典的TO-220AB封装提供了出色的功率耗散能力，让您在各种环境温度下都能安心运行。选择它，就是为您的产品注入了可靠与高效的动力基因。

• 型号:STP7NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 5A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:780 毫欧 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:400 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP7NM50N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。